Выбор и обоснование технологии изготовления микросхемы. Технология производства цифровых микросхем

⁰

Многие наверняка не раз задавались вопросом, почему процессоры, видеокарты и материнские платы которые мы покупаем в магазинах - разработаны и сделаны где угодно, только не в России? Почему так получается, неужели мы только нефть качать можем?

Сколько стоит запуск производства микросхемы, и почему при наличии 22нм фабрик, бОльшая часть микросхем по всему миру до сих пор делается на «устаревшем» 180нм-500нм оборудовании?

Ответы на эти и многие другие вопросы под катом.

Как же работает микроэлектронное производство и сколько все это стоит?Транзисторы на кремниевой пластине рисуются с помощью фотолитографии, с помощью аппаратов называемых степперами или сканерами. Степпер - рисует кадр (до 26x33мм) целиком, затем переходит на новую позицию. Сканер - одновременно сдвигает маску и пластину таким образом, чтобы в каждый момент рисовать только одну узкую «строку» в центре кадра, таким образом аберрации оптической системы меньше влияют на изображение.

Основные характеристики степперов/сканеров - длина волны света, на которой они работают (на ртутных лампах i-line - 365nm, затем на эксимерных лазерах - 248nm и 193nm), и численная апертура объектива . Чем короче длина волны, и чем больше апертура - тем меньшие детали могут быть нарисованы объективом в соответствии с дифракционным пределом:

Например, для одного из самых совершенных сканеров ASML NXT 1950i с длиной волны 193нм и численной апертурой 1.35, и k1=0.4(обычное значение для фотолитографии без «хитростей») получаем теоретическое разрешение 57нм. Применяя хитрости вроде фазовых масок, многократной экспозиции, оптической коррекции близости, off-axis illumination , поляризации света - получают минимальные элементы до 22нм.

Другие параметры степперов/сканеров - производительность (сколько пластин в час они могут обработать, до 220 пластин), и ошибка совмещения (на сколько нанометров в штуках промахивается позиционирование пластины относительно заданной позиции. На современных сканерах - до 3-5нм).

Степперы/сканеры печатают уменьшенное в 4–5 раз изображение вот такой маски (стеклянной пластинки с рисунком микросхемы, размер примерно 15x15см) в точно заданных местах.

Операцию печати рисунка (с разными масками) нужно повторить от ~10 (для самых простых и старых микросхем) до ~40 раз чтобы сформировать все нужные слои на микросхеме (начиная от самих транзисторов, и заканчивая 2–10 слоями металлических соединений). Между операциями фотолитографии пластины подвергаются различной обработке - их греют в печке до 1100 градусов, травят в растворах и плазме. На выходе остаётся пластину разрезать на отдельные кристаллы, протестировать и поместить в корпус.

«Крутость» технологии измеряют размером минимального рисуемого элемента (отдельные части транзистора, например затвор - могут быть как меньше так и больше этой цифры - т.е. это величина достаточно условная). Понятно что чем меньше транзисторы - тем быстрее работает микросхема, и больше кристаллов влезет на пластину (но не везде нужна максимальная скорость).

Сейчас начинается медленный и мучительный переход на EUV-литографию, с длиной волны 13.5nm и зеркальной оптикой . EUV сканеры пока дороже и медленнее обычных 193нм, и только-только начинают превосходить их по достижимому разрешению.

Сколько стоит свой процессор сделать?Цифры - грубые оценки, точных нигде не скажут без NDA.

Лицензия софта на одно рабочее место разработчика микросхем - от 20"000 до 100"000$ в год и выше. Можно конечно и воровать, но за этим все вокруг следят.

Далее - изготовление масок. Они не должны иметь ни одного повреждения, и их изготовление обходится очень дорого: от ~7"000$ за комплект для микросхем на 1000нм, ~100"000$ для микросхем на 180нм и до ~5"000"000$ для микросхем на 32нм. А ведь микросхема с первого раза скорее всего не заработает - и после нахождения ошибки маски придётся переделывать. Частично с этой проблемой можно бороться размещая тестовые микросхемы от многих заказчиков на одном наборе масок - тогда все получат по чуть–чуть тестовых микросхем за 1/3–1/10 цены полного набора масок (это называют Shuttle или MPW - multi project wafer).

Каждая произведённая пластина стоит от 100–400$ для старых технологий на 1000нм, ~1000$ на 180нм и до ~5000$ для самых современных (помимо нанометров тут оказывает влияние и сложность технологии - простая логика дешевле, флеш память дороже, но не в разы). Тут также важно помнить и о размере пластин: самые современные производства сейчас работают с пластинами диаметром 300мм - они по площади примерно вдвое больше пластин на 200мм (которые сейчас используются в России на Микроне, Интеграле и в туманном будущем на Ангстрем-Т), а последние примерно вдвое больше ещё более старых 150мм. Пластины бОльшего размера позволяют получать микросхемы меньшей стоимости при большИх заказах т.к. количество телодвижений для изготовления 100 пластин примерно одинаковое, независимо от диаметра (это одна из причин планируемого перехода передовых производств на пластины диаметром 450мм в 2018 году по оптимистичным оценкам).

Допустим мы хотим разработать x86-совместимый процессор (или любую другую относительно сложную микросхему), по более-менее современной коммерчески доступной технологии 28/32нм (22нм хоть и существует, но коммерческие заказы пока не разместить - так что доступ к технологиям иногда как любовь: за деньги не продается). Вопрос со стоимостью патентов опустим, это вообще очень печальная тема. Предположим, для разработки нужно 200 мифических человеко-лет (это если мы делаем скромный процессор, не претендующий на первое место).

Лицензии на софт - 50k$*100 = 5 млн$ (грубая оценка, не всем нужны лицензии).
Зарплата разработчиков - допустим 3k$*1,5(налоги)*12*200 = 10.8 млн$
Тестовые запуски в MPW - 2*1.5 млн$
Изготовление масок для серийного производства 2*5млн$ = 10 млн$ (2 - потому что как ни старайся - с первого раза не выйдет)

Итого - 28.8 млн$

Это было то, что называется Non-recurring engineering (NRE) - единоразовые затраты, которые не зависят от объема производства, и успеха всего мероприятия.

Если процессор у нас получился площадью 200мм2, пластины по технологии 32нм диаметром 300мм стоят 5000$, то с пластины у нас получится 70690/200 = 350 кристаллов (оценка сверху), из которых работать допустим будет 300. Т.е. себестоимость кристалла - 16.6$, 20$ после корпусировки. За сколько теперь такой процессор можно будет продавать? 50$? 100$? Отнимем налоги и наценку магазинов…

И вот теперь вопрос - сколько же нужно продать таких процессоров, чтобы окупить наши NRE, проценты по кредитам, налоги и проч? Миллион? 5 миллионов? А главный вопрос - есть ли какие-то гарантии, что эти 5 миллионов процессоров удастся продать, учитывая что конкурентам ничего не стоит произвести на 5 миллионов больше их уже готового продукта?

Вот такой вот адский бизнес получается - огромные капитальные расходы, огромные риски и умеренная прибыль в лучшем случае.

Китай - решил проблему по своему, они решили во все школы поставить компьютеры со своими процессорами и Linux - и проблема с объёмами производства решена ( ).

Таким образом, главный вопрос при создании микросхем - это не как и где произвести, а как разработать и кому потом продать миллионы штук получившейся продукции?

А сколько стоит завод построить? Стоимость современного завода подбирается к отметке 5 млрд$ и выше . Такая сумма получается потому, что стоимость лицензий и некоторых других фиксированных расходов не сильно зависит от объёмов производства - и выгодно иметь большие производства, чтобы затраты «размазывались» по бОльшему объёму продукции. А каждый современный сканер (который собственно рисует эти 22–32нм детали) стоит 60–100млн $ (на большом заводе их может быть пара десятков). В принципе, 5млрд - не такие большие деньги в масштабах страны. Но естественно, никто не потратит 5 млрд без чёткого плана по возврату инвестиций. А ситуация там такая - несмотря на всю сложность индустрии, только монополисты работают с видимой прибылью (TSMC, Intel, Samsung и немногие другие), остальные еле сводят концы с концами.

Это просто не укладывалось у меня в голове - как же так, вкладывать миллиарды, и едва–едва их отбивать? Оказалось, все просто - по всему миру микроэлектроника жесточайше дотируемая отрасль - заводы постоянно выклянчивают освобождение от налогов, льготные кредиты и демпингуют (в Китае пошли ещё дальше - SMIC заводы строит за государственный счёт, и потом ими «управляет» - это у них называется Reverse Build-Operate-Transfer). После появления каждой новой технологии (45нм, 32нм...) - первые заводы-монополисты обладающие ей и рубят основную прибыль, а те, кто приходят на 2-5-10 лет позже старта - вынуждены работать практически по себестоимости. В результате денег тут заработать крайне сложно (без монополии и без дотаций).

Это похоже поняли и в России - и проекты больших микроэлектронных заводов пока отложили, и строят маленькие производства - чтобы если и терять деньги, то терять их мало. А даже 3000 пластин в месяц, производимых на Микроне - это с головой покрывает объёмы потребления билетов Метрополитена и оборонки (кристалл билета метро имеет размеры 0.6x0.6мм, на одной 200мм пластине получается 87"000 билетов в метро - но о грустной истории с билетами метро я расскажу в одной из следующих статей).

Вопреки расхожему мнению, особых ограничений на продажу оборудования для микроэлектроники в Россию нет - на поправку Джексона - Вэника в США ежегодно накладывается президентский мораторий, и нужно только получать обычное разрешение на экспорт. Сами производители оборудования кровно заинтересованы заработать побольше денег, и сами пинают со своей стороны выдачу разрешений. Но естественно, без денег никто ничего не делает. Так что за ваши деньги - любой каприз.

Но нужно помнить и о том, что свой завод не гарантирует полной независимости производства, и не дешевле производства за рубежом: основную стоимость составляют технологии/лицензии и стоимость закупаемого оборудования - а если своих технологий и оборудования нет, и все импортировать - то и дешевле получится не может. Многие расходные материалы также в любом случае придется импортировать. Отдельный больной вопрос - производство масок, только очень крупные фабрики могут иметь «своё» производство масок.

А сколько нанометров нужно для счастья?Многим кажется - вот, у Intel–а 22нм, а у нас 90нм - как мы безнадежно отстали, подайте трактор… Но есть и другая сторона медали: посмотрите например на ту же материнскую плату: там сотни полупроводниковых приборов - MOSFET–ы, драйверы, микросхемы питания, всякая вспомогательная мелочь - почти для всех из них хватает и 1000нм технологии. Вся промышленная электроника, и микросхемы для космоса и военных - это практически в 100% случаев технологии 180нм и толще. Таким образом, самые последние технологии нужны лишь для центральных процессоров (которые делать очень сложно/дорого из–за высоких рисков и высокого порога выхода на рынок), и различных «жопогреек» (айфонов и проч). Если вдруг случится война, и Россия лишится импорта - без «жопогреек» прожить можно будет, а вот без промышленной, космической и военной электроники - нет. Т.е. по факту мы видим, что критичные для страны вещи по возможности делают в России (или закупают впрок), а то, без чего можно будет прожить в крайнем случае - импортируем.

Есть и другие факторы - та же стоимость масок. Если нам нужно сделать простую микросхему, то делать для её изготовления по 32нм маски стоимостью 5 млн $ - может быть выгодно если эту микросхему потом производить тиражом в десятки и сотни миллионов копий. А если нам нужно всего 100"000 микросхем - выгоднее экономить на масках, и выпускать микросхему по самой «толстой» технологии. Кроме этого, на микросхеме есть контактные площадки, к которым подсоединяются выводы микросхем - их уменьшать некуда, и следовательно, если площадь микросхемы сравнима с площадью контактных площадок - то делать микросхему по более тонкой технологии также нет смысла (если конечно «толстые нормы» удовлетворяют требованиям по скорости и энергопотреблению).

В результате - подавляющее большинство микросхем в мире делается по «толстым» технологиям (350–500нм и толще), и миллиарды микросхем уходящие на экспорт с Российских заводов (правда в основном в виде пластин) - вполне себе востребованы и продаются (так что в материнских платах и сотовых телефонах есть наши микросхемы и силовые транзисторы - но под зарубежными именами).

Ну и наконец, американский F–22 Raptor до недавнего времени летал на процессоре Intel 960mx, разработанном в 1984–м году, производство в США тогда было по нормам 1000–1500nm - никто особо не жужжал о том, что американцы ставят в самолеты отсталую электронику (хотя ладно, немного жужжали). Главное ведь не нанометры, а соответствие конечного продукта техзаданию.

Резюме Рыночная экономика эльфов и микроэлектронное производство - слабо совместимые вещи. Чем больше копаешься - тем меньше видно рынка, больше дотаций, картельных сговоров, патентных ограничений и прочих радостей «свободного рынка». Бизнес в этой отрасли - это одна большая головная боль, с огромными рисками, постоянными кризисами перепроизводства и прибылью только у монополистов.

Не удивительно, что в России стараются иметь маленькое, но своё производство, чтобы сохраняя независимость, терять меньше денег. Ни о какой прибыли на рыночных условиях говорить не приходится.

Ну и не для всех микросхем нужно 22-32нм производство, подавляющее большинство микросхем выгоднее производить на более старом 180-500нм оборудовании из-за стоимости масок и объемов производства.

В следующих статьях - расскажу об особенностях космической и военной микроэлектроники, и о текущем состоянии микроэлектроники в России.

Cтраница 1

Технология изготовления микросхем может быть не только такой, как описана выше. Для их изготовления в качестве подложки берутся пластинки из керамики или стекла. Соединения между компонентами гонкопленочной схемы получают путем напыления на подложку в высоком вакууме пленки из золота или серебра; для формирования резисторов используются ни-хромовые или танталовые пленки.

Особенности технологии изготовления микросхем определяют и специфику их чертежей. При изготовлении гибридной тонкопленочной интегральной микросхемы разрабатывают чертежи многослойных плат. На этих чертежах показывают размещение и фэрму элементов и их соединений.

В настоящее время технология изготовления микросхем достигла такого уровня, который позволяет создавать большие интегральные схемы.

В зависимости от технологии изготовления микросхемы подразделяют на полупроводниковые и пленочные. Пленочные схемы, в свою очередь, делятся на тонкопленочные и толстопленочные. Первые получают методами термического испарения материалов и катодного распыления, вторые - методами шелкографии и вжигания специальных паст в керамику. Разновидностью тонкопленочных микросхем, используемых в диапазоне СВЧ, являются микрополосковые схемы. По степени унификации и применения в РЭА микросхемы подразделяют на микросхемы широкого и частного применения.

По мере развития технологии изготовления микросхем с высокой степенью интеграции и МОП технологии возникла необходимость устранить операцию крупномасштабного вычерчивания оригинала фотошаблона микросхемы.

Время цикла команд микропроцессора U808D определяется технологией изготовления микросхем. В используемой в данном случае р - МОП-технологии максимальное время цикла составляет 13 5 мкс.

Характер этих связей зависит от метода изоляции и технологии изготовления микросхемы. В меньшей степени подложка влияет на параметры транзисторов при использовании диэлектрической изоляции.

Технология изготовления микросхем первой группы называется планерной, а технология изготовления микросхем второй группы - планарно-эпитаксиальной.

Повышение сложности ИМС, ужесточение требований к их надежности, расширение областей применения при постоянном увеличении диапазонов эксплуатационных воздействий требуют не только совершенствования проектирования и технологии изготовления микросхем, но и четкой организации единого подхода к решению методологических вопросов при оценке качества и надежности ИМС. Важное место при этом отводится испытаниям ИМС.

Голографический метод получает все более широкое практическое применение для решения самых различных задач, таких, как распознавание образов, построение блоков памяти большой емкости, ввода и вывода информации, в технологии изготовления микросхем и многих других.

Если технология изготовления микросхем известна, то выбирают физическую структуру, рассчитывают для нее физические параметры и на основе этих данных производят расчет параметров активных и пассивных элементов. Если же существующая технология не удовлетворяет требованиям проектируемой микросхемы, сначала на основе электрических параметров активных элементов рассчитывают физические структуры, а затем определяют технологические режимы.

Изменения на рынке компьютеров были вызваны появлением микросхем, которые позволили создать мини-компьютеры, доступные небольшим организациям. Эти компьютеры были хорошо встречены (и до сих пор имеют хороший сбыт), однако приближались новые перемены. Развитие технологии изготовления микросхем привело к созданию маленьких компьютеров (микрокомпьютеров) по производительности вполне сравнимых с мини - или даже с большими ЭВМ, но имеющих столь низкую цену, что они стали доступны не только любой малой организации, но и отдельным пользователям. И когда эти компьютеры начали продаваться действительно в массовых количествах и большом числе разнообразных моделей, стала очевидной необходимость создания развитого программного обеспечения, доступного пользователю в любом магазине.

на тему: «Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем »

Дисциплина: «Материаловедение и материалы электронных средств»

Выполнил студент группы 31-Р

Козлов А. Н.

Руководитель Косчинская Е. В.

Орел, 2004

Введение

Часть I. Аналитический обзор

1.1 Интегральные схемы

1.3 Характеристика монокристаллического кремния 1.4 Обоснование применения монокристаллического кремния 1.5 Технология получения монокристаллического кремния 1.5.1 Получение кремния полупроводниковой чистоты 1.5.2 Выращивание монокристаллов

1.6 Механическая обработка монокристаллического кремния

1.6.1 Калибровка 1.6.2 Ориентация 1.6.3 Резка 1.6.4 Шлифовка и полировка 1.6.5 Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек

1.7 Операция разделения подложек на платы

1.7.1 Алмазное скрайбирование 1.7.2 Лазерное скрайбирование 1.8 Разламывание пластин на кристаллы Часть II. Расчет Заключение Список используемой литературы

Технология изготовления интегральных микросхем представляет собой совокупность механических, физических, химических способов обработки различных материалов (полупроводников, диэлектриков, металлов), в результате которой создается ИС.

Повышение производительности труда обусловлено в первую очередь совершенствованием технологии, внедрением прогрессивных технологических методов, стандартизацией технологического оборудования и оснастки, механизацией ручного труда на основе автоматизации технологических процессов. Значимость технологии в производстве полупроводниковых приборов и ИС особенно велика. Именно постоянное совершенствование технологии полупроводниковых приборов привело на определенном этапе ее развития к созданию ИС, а в дальнейшем - к широкому их производству.

Производство ИС началось примерно с 1959 г. На основе предложенной к этому времени планарной технологии. Основой планарной технологии послужила разработка нескольких фундаментальных технологических методов. Наряду с разработкой технологических методов развитие ИС включало исследования принципов работы их элементов, изобретение новых элементов, совершенствование методов очистки полупроводниковых материалов, проведение их физико-химических исследований с целью установления таких важнейших характеристик, как предельные растворимости примесей, коэффициенты диффузии донорных и акцепторных примесей и др.

За короткий исторический срок современная микроэлектроника стала одним из важнейших направлений научно-технического прогресса. Создание больших и сверхбольших интегральных микросхем, микропроцессоров и микропроцессорных систем позволило организовать массовое производство электронных вычислительных машин высокого быстродействия, различных видов электронной аппаратуры, аппаратуры управления технологическими процессами, систем связи, систем и устройств автоматического управления и регулирования.

Микроэлектроника продолжает развиваться быстрыми темпами, как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.

Часть I . Аналитический обзор

1.1 Интегральные схемы

В процессе развития микроэлектроники (МЭ) номенклатура ИС непрерывно изменялась. Главный тип ИС в настоящее время - полупроводниковые ИС.

Классификация ИС.

Классификация ИС может производиться по различным признакам, ограничимся одним. По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают два принципиально разных типа интегральных схем: полупроводниковые и пленочные.

Полупроводниковая ИС - это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники.

Пленочная ИС - это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. В зависимости от способа нанесения пленок и связанной с этим их толщиной различают тонкопленочные ИС (толщина пленок до 1-2 мкм) и толстопленочные ИС (толщина пленок от 10-20 мкм и выше).

Поскольку до сих пор никакая комбинация напыленных пленок не позволяет получить активные элементы типа транзисторов, пленочные ИС содержат только пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и т. п.). Поэтому функции, выполняемые чисто пленочными ИС, крайне ограничены. Чтобы преодолеть эти ограничения, пленочную ИС дополняют активными компонентами (отдельными транзисторами или ИС), располагая их на той же подложке и соединяя с пленочными элементами. Тогда получается ИС, которую называют гибридной.

Гибридной ИС (или ГИС) - это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Дискретные компоненты, входящие в состав гибридной ИС, называются навесными, подчеркивая этим их, обособленность от основного технологического цикла получения пленочной части схемы.

Еще один тип «смешанных» ИС, в которых сочетаются полупроводниковые и пленочные интегральные элементы, называют совмещенными.

Совмещенная ИС - это микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла (как у пленочной ИС).

Совмещенные ИС выгодны тогда, когда необходимы высокие номиналы и высокая стабильность сопротивлений и емкостей; эти требования легче обеспечить с помощью пленочных элементов, чем с помощью полупроводниковых.

Во всех типах ИС межсоединения элементов осуществляются с помощью тонких металлических полосок, напыленных или нанесенных на поверхность подложки и в нужных местах контактирующих с соединяемыми элементами. Процесс нанесения этих соединительных полосок называют металлизацией, а сам «рисунок» межсоединений - металлической разводкой.

В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных полупроводниковых интегральных микросхем достигают 20x20 мм, чем больше площадь кристалла, тем более многоэлементную ИС можно на ней разместить. При одной и той же площади кристалла можно увеличить количество элементов, уменьшая их размеры и расстояния между ними.

1.2 Требования к полупроводниковым подложкам

Полупроводники в виде пластин или дисков, вырезанных из монокристаллов, называются подложками. В их объеме и на поверхности методами травления, окисления, диффузии, эпитаксии, имплантации, фотолитографии, другими технологическими приемами формируются элементы микросхем электронных приборов и устройств.

Качество поверхности подложки определяется ее микрорельефом (шероховатостью), кристаллическим совершенством поверхностных слоев и степенью их физико-химической чистоты. Поверхность подложки характеризуется неплоскостностью и непараллельностью. Высокие требования предъявляются и к обратной - нерабочей стороне подложки. Неодинаковая и неравноценная обработка обеих сторон подложки приводит к дополнительным остаточным механическим напряжениям и деформации кристалла, что обусловливает изгиб пластин.

После механической обработки в тонком приповерхностном слое подложки возникает нарушенный слой. По глубине он может быть разделен на характерные зоны. Для кристаллов Ge, Si, GaAs и других после их резки и шлифования на глубине 0,3...0,5 средней высоты неровностей расположена рельефная зона, в которой наблюдаются одинаковые виды нарушений и дефектов монокристаллической структуры: монокристаллические сколы, невыкрошившиеся блоки, трещины, выступы и впадины различных размеров. После резки дефекты располагаются в основном под следами от режущей кромки алмазного диска в виде параллельных дорожек из скоплений дефектов, в шлифованных кристаллах - равномерно по сечению. При полировании первый слой представляет собой поверхностные неровности, относительно меньшие, чем при шлифовании, и в отличие от шлифованной поверхности он является аморфным. Второй слой также аморфный, его глубина в 2...3 раза больше, чем поверхностные неровности. Третий слой является переходным от аморфной структуры к ненарушенному монокристаллу и может содержать упругие или пластические деформации, дислокации, а в некоторых случаях и трещины. В процессе обработки и подготовки поверхности подложек полупроводников необходимо создание совершенных поверхностей, имеющих высокую степень плоскопараллельности при заданной кристаллографической ориентации, с полным отсутствием нарушенного слоя, минимальной плотностью поверхностных дефектов, дислокаций и т.д. Поверхностные загрязнения должны быть минимальными.

3 Характеристика монокристаллического кремния Физико-химические свойства кремния

1.Оптимальное значение ширины запрещенной зоны, которая обусловила достаточно низкую концентрацию собственных носителей и высокую рабочую температуру.

2.Большой диапазон реально достижимых удельных сопротивлений в пределах от 10 -3 Ом-см (вырожденный) до 10 5 (близкий к собственному).

3.Высокое значение модуля упругости, значительная жесткость (большая, чем, например, у стали).

Современный мир настолько компьютеризирован, что наша жизнь практически не представляется без существования электронных приборов, сопровождающие нас во всех сферах нашей жизни и деятельности.
А прогресс не стоит на месте, а продолжается непрерывно совершенствоваться: устройства уменьшаются и становятся более мощные, более емкостные и более производительные. В основе этого процесса находится технология производства микросхем , представляющая собой в упрощенном варианте соединение нескольких без корпусных диодов, триодов, транзисторов, резисторов и других активных электронных компонентов (иногда их число в одной микросхеме достигает нескольких миллионов), объединенных одной схемой.

Полупроводниковые кристаллы (кремний, германия, оксид гафния, арсенид галлия) - являются основой производства всех микросхем. На них выполняются все элементные и межэлементные соединения. Самым распространенным из них является кремний, так как он по своим физико-химическим качествам, больше всех подходит для этих целей, полупроводником. Дело в том что полупроводниковые материалы относятся к классу с электрической проводимостью, находящейся между проводниками и изоляторами. И могут выступать в роли проводников и диэлектриков в зависимости от содержания в них других химических примесей.

Микросхемы создаются путем последовательного создания различных слоев на тонкой полупроводниковой пластине, которые предварительно полируются и доводятся механическими или химическими способами до зеркального блеска. Поверхность ее обязательно должна быть совершенно гладкой на атомном уровне.

Видео-этапы производства микросхемы:

При формировании слоев, из-за того что рисунки наносимые на поверхность пластины настолько малы, поэтому материал формирующий впоследствии рисунок осаждают сразу на всю поверхность, а потом удаляют ненужное, используя процесс фотолитографии.

Фотолитография является одним из главных этапов производства микросхемы и чем то напоминает производство фотографии. На поверхность ранее нанесенного материала так же ровным слоем наносится специальный светочувствительный материал (фоторезист), затем он высушивается. Далее через специальный фотошаблон на поверхность слоя проецируется необходимый рисунок. Под воздействием ультрафиолета отдельные участки фоторезиста меняют свои свойства - крепчает, поэтому необлученные участки впоследствии удаляются. Этот способ нанесения рисунка является настолько эффективным по своей точности, что будет еще использоваться долгое время.

Далее следует процесс электрического соединения между транзисторами в микросхемах, объединяющие транзисторы в отдельные ячейки, а ячейки в отдельные блоки. Межсоединения создаются в несколько металлических слоев законченных микросхем. В качестве материалов в производстве слоев используется в основном медь, а для особо производительных схем используется золото. Количестве слоев электрических соединений зависит от мощности и производительности создаваемой микросхемы - чем она мощнее том больше содержит в себе этих слоев.

Таким образом получается сложная трехмерная структура электронной микросхемы толщиной несколько микрон. Затем электронную схему покрывают слоем диэлектрического материала толщиной несколько десятков микрон. В нем лишь открывают лишь контактные площадки, через которые впоследствии подаются в микросхему питание и электрические сигналы из вне. Снизу крепится кремневая пластина толщиной в сотни микрон.

По окончании процесса производства кристаллы на пластине тестируются каждая в отдельности. Потом каждый чип упаковывается в свой корпус, при помощи которого и появляется возможность подключения его к другим приборам. Несомненно тип упаковки зависит от предназначения микросхемы и способов ее использования. Упакованные чипы проходят основной этап стресс теста: воздействие температур, влажности, электричества. И уже по результатам теста отбраковываются, сортируются и классифицируются по спецификациям.

Важным в процессе производства деталей микроуровня, какими являются микросхемы - это идеальная чистота помещений для производства. Поэтому для обеспечения идеальной чистоты используются специально-оборудованные помещения, которые в первую очередь являются полностью герметичными, оснащены микрофильтрами для очистки воздуха, персонал, работающий в этих помещениях, имеет спецодежду, препятствующую проникновения туда каких либо микрочастиц. Кроме того в таких помещениях обеспечивается определенная влажность, температура воздуха, строятся они на фундаментах с защитой от вибраций.

Видео - экскурсия на завод где производят микросхемы:

Вперед -

У вас есть Бизнес Идея? На нашем сайте Вы можете рассчитать её Рентабельность в режиме Онлайн!

Все мы в той или иной степени пользуемся банковскими, социальными, а также SIM-картами, не говоря уже о проездных на метро. Все эти вещи объединяет одно - в основе их функционирования лежит микрочип. Микроэлектронка является одной из самых высокотехнологичных и наукоемких отраслей промышленности. Более 90% инноваций, которые появляются в мире, созданы за счет развития микроэлектроники.

Все микрочипы, используемые в России, рождаются в одном месте - на зеленоградском заводе «НИИМЭ и Микрон», входящему в группу компаний «СИТРОНИКС Микроэлектроника».

В основе любой микросхемы или чипа - кремний.

Кремний обрабатывается в монокристалл. Режется на пластины толщиной в два бумажных листа и диаметром 750 микрон. В таком виде его и закупает завод.

Дальше, на производстве, исходя из дальнейшего предназначения, пластина обрабатывается (порядка 200–300 операций) и разрезается на маленькие кусочки равного размера. На одной пластине помещается несколько десятков тысяч чипов с трехмерной структурой.

Сначала пластину очищают от пыли в ионизированной воде и обрабатывают специальными реактивами. Затем ее подвергают термической обработке.

Пластины с микрочипами переносятся в smif-контейнере. Контейнер защищает пластины от внешних воздействий и грязи. SMIF-контейнер - это маленькая «особо чистая комната». Там создан класс чистоты фактически 0.00 единиц на кубический метр.

Сердце микроэлектронного производства – чистая комната. Производственный процесс в ней идет круглосуточно, не останавливаясь даже ночью. Почти весь процесс изготовления микрочипов автоматизирован, что сокращается потребность в людских ресурсах.

Важнейшим и основообразующим элементом на заводе является чистота. Для микрочипа любая пылинка - то же, что и булыжник для человека. Работать можно только в специальном костюме, пронизанном углеродной нитью и обладающим пылеотталкивающими свойствами. Сотрудникам, работающим в чистой комнате, запрещено пользоваться косметикой. Количество микрочастиц в воздухе контролируется при помощи четырехуровневой системы фильтрации.

На заводе существует два технологических процесса производства микросхемы: 90 нанометров и 180. Это означает, что минимальный размер элемента на чипе составляет 90 нанометров. Один нанометр равен одной миллиардной метра. Структура 90нм является более быстродейственной, энергоемкой и надежной. Ее запустили в феврале этого года при содействии «Роснано». Загруженность линии 90нм пока всего лишь 25%, тогда как 180 - 80%.

В проекте разработки производства чипов 90 и 180 нанометров приняло участие более 70 компаний из 17 стран мира. Все оборудование, все материалы поставляются на завод из-за рубежа.

Компании, сотрудничающие с «СИТРОНИКС Микроэлектроника»

На момент запуска производства 90нм лишь 7 стран в мире обладало схожей технологией. Однако в Европе уже идет выпуск структур 65, 43 и 32 нм, тогда как у нас пока лишь 90. Но и это, безусловно, прорыв. Запустив производство чипов с топологическим уровнем 90нм, мы сократили отставание от мировых лидеров на 5 технологических поколений, что равняется десяти обычным годам. Также СИТРОНИКС Микроэлектроника с 2013 года планирует приступить в разработке отечественных технологий уровня 65нм.

Производство для России действительно важное и одно из немногих, где мы можем составить конкуренцию западным производителям на внутреннем рынке. Однако, как признаются сотрудники завода, процесс разработки новых технологий сильно зависит от государственной поддержки, поэтому остается надеяться на лучшее и ждать.